真空鍍膜技術
蒸鍍(Evaporation)
&
濺鍍(Sputter)
Film Deposition
薄膜沈積(Thin Film Deposition)
在機械工業(yè)、電子工業(yè)或半導體工業(yè)領域，為了對所使用的材料賦與某種特性在材料表面上以各種方法形成被膜（一層薄膜），而加以使用，假如此被膜經(jīng)由原子層的過程所形成時，一般將此等薄膜沈積稱為蒸鍍（蒸著）處理。採用蒸鍍處理時，以原子或分子的層次控制蒸鍍粒子使其形成被膜，因此可以得到以熱平衡狀態(tài)無法得到的具有特殊構造及功能的被膜。
薄膜沈積的兩種常見的製程
物理氣相沈積–PVD
（Physical Vapor Deposition）

化學氣相沈積CVD
（Chemical Vapor Deposition）
薄膜沈積機制的說明圖
物理氣相沈積–PVD（Physical Vapor Deposition）
PVD顧名思義是以物理機制來進行薄膜堆積而不涉及化學反應的製程技術，所謂物理機制是物質的相變化現(xiàn)象

蒸鍍(Evaporation)
濺鍍(Sputtering)

真空電鍍簡介
被鍍物與塑膠不產(chǎn)生化學反應
環(huán)保製程；無化學物污染
可鍍多重金屬
生產(chǎn)速度快
可對各種素材加工
屬低溫製程

最常見的PVD製程

蒸鍍(Evaporation)
蒸鍍(Evaporation)原理
鎢絲
鎢舟
鉬舟
蒸鍍(Evaporation)原理
濺鍍(Sputter)
PLASMA
什麼是電漿
藉由外加的電場能量來促使氣體內(nèi)的電子獲得能量並加速撞擊不帶電中性粒子，由於不帶電中性粒子受加速電子的撞擊後會產(chǎn)生離子與另一帶能量的加速電子，這些被釋出的電子，在經(jīng)由電場加速與其他中性粒子碰撞。如此反覆不斷，進而使氣體產(chǎn)生崩潰效應(gas breakdown)，形成電漿狀態(tài)。
電漿性質
1.整體來說，電漿的內(nèi)部是呈電中性的狀態(tài)，也就是帶負電粒子的密度與帶正電粒子的密度是相同的。
2.因為電漿中正、負離子的個數(shù)幾乎是一比一，因此電漿呈現(xiàn)電中性。
3.電漿是由一群帶電粒子所組成，所以當有一部分受到外力作用時，遠處部份的電漿，乃至整群的電漿粒子都會受到影響，這叫做「電漿的群體效應」。
4.具有良好的導電性和導熱性。
濺鍍(Sputter)原理
1. Ar 氣體原子的解離
Ar ? Ar+ ＋ e－
2. 電子被加速至陽極，途中產(chǎn)生新的解離。
3. Ar 離子被加速至陰極撞擊靶材，靶材粒子及二次電子被擊出，前者到達基板表面進行薄膜成長，而後者被加速至陽極途中促成更多的解離。
濺鍍(Sputter)原理
In-line Sputtering System
Sputtering Process
Target
Magnetic Field Lines
Target Erosion
濺鍍製程技術的特點
成長速度快
大面積且均勻度高
附著性佳可改變薄膜應力
金屬或絕緣材料均可鍍製
適合鍍製合金材料
各種PVD法的比較
各種物理氣相沈積法之比較
蒸鍍與濺鍍製程上運用之差異
素材形狀
鍍膜材質之要求
不透光及半透光
鍍膜方向

蒸鍍與濺鍍製程產(chǎn)能與成本比較(以惠明為例)
濺鍍有效面積:450mmX350mm
蒸鍍治具面積:120mmX100mm
一般濺鍍產(chǎn)能:一分鐘一盤
一般蒸鍍產(chǎn)能:30分鐘一爐,每爐可放768個治具
蒸鍍須外加治具成本及上下治具人工成本
常見的外觀裝飾性PVD之製程

素材直接鍍膜
配合噴塗之鍍膜
其他

素材直接鍍膜
素材直接鍍膜
運用於平面的素材:如FILM鍍膜
素材材質:PC,PMMA,PET..等等
運用:1.Lens(平板切割,IMD,IMR)
2.銘版
3.按鍵(IMD,IMR)
4.背光板

配合噴塗之鍍膜
配合噴塗之鍍膜
運用於立體的素材:如按鍵及機殼鍍膜
素材材質:大部分塑膠皆可
運用:1.機殼及按鍵
2.銘版
3.數(shù)位相機自拍鏡
4.半透光燈罩

配合其他製程之運用
搭配印刷
搭配雷雕
EMI
Dipping
化學蝕刻（退鍍）
其他
配合其他製程之運用
Example:手機按鍵
印刷
噴塗
雷雕
配合其他製程之運用
Example:LCD Lens
Dipping
印刷
退鍍